أحدث الأخبار مع #DDR4
أخبار مصر
١١-٠٥-٢٠٢٥
- أخبار مصر
مراجعة رامات XPG Lancer Neon RGB DDR5-6000: أداء إضافي مع كسر السرعة؟
تُعد تجربة كسر السرعة في عالم الحاسوب من الأمور التي لا يمكن الاستنغاء عنها، إذ تسمح هذه العملية برفع تردد المعالج المركزي أو الكارت الرسومي المدمج والمنفصل وحتى الرامات، لنحصل على زيادة إضافية في الأداء مع الألعاب والبرامج.قد تتفاوت نتائج زيادة الأداء بين المعالجات، والكروت، والرامات، لكن ما يجمعهم هو قدرتك على كسر سرعتهم ورفع التردد للحصول على نتائج أفضل، إذ يمكن الحصول على نتائج كبيرة عند كسر سرعة المعالج المركزي أو الكارت الرسومي مقارنة بكسر سرعة الذاكرة. فمن منا لا يرغب في استخلاص أداء إضافي من قطعة الهاردوير التي يمتلكها؟ ماذا يعني كسر سرعة الذاكرة؟ عملية كسر سرعة الذاكرة تشبه إلى حد ما كسر سرعة المعالج المركزي والكارت الرسومي، إذ تقوم بخطوات معنية ترفع من خلالها تردد الذاكرة، وتعدل توقيت الذاكرة، وتزيد الفولت في بعض الحالات وتختبر الذاكرة على عدة برامج لمعرفة مدى استقرارها مع هكذا التردد.يمكن أن ينتج عن كسر سرعة الذاكرة نتائج ملحوظة أيضًا سواء مع الألعاب أو البرامج المختلفة، لكن هذه العملية قد تحتاج منك الصبر واختبار متواصل للوصول إلى التردد المستقر مع نوع الذاكرة المستخدم. فالتردد يلعب دورًا في تحسين الأداء، وتوقيت الذاكرة أيضًا له دور كبير في الحصول على نتائج أفضل.في الوقت نفسه، قد لا تحصل على نتائج مرضية بعد عملية كسر سرعة الذاكرة، إذ قد تلاحظ حصولك على أداء أفضل في بعض البرامج، ولكن في الألعاب قد لا تحصل على زيادة تذكر أو ربما تكون زيادة خجولة لا تزيد عن ثلاثة إلى أربعة فريمات.الجيل الجديد من ذاكرة الوصول العشوائي، التي تحمل اسم DDR5، حققت تحسينات واضحة مقارنة بالجيل السابق DDR4، بما في ذلك تحسينات على مستوى الأداء وعرض النطاق الترددي والحجم. وكان أول استخدام لهذه الذاكرة مع معالجات Alder Lake من Intel، لتلحقها AMD وتدعم هذا الجيل مع منصة AM5.لابد أن تعرف أن عملية كسر السرعة تكون في بعض الأحيان خطرة على الذاكرة نفسها، لأنها قد لا تتحمل هذا الجهد المتواصل، بالإضافة إلى خروج الذاكرة من الضمان بعد تعرضها لضرر ما إذ لا يشمل الضمان عادة كسر السرعة العنيف. ومع ذلك، فإن كسر السرعة لا يؤثر على سلامة حاسوبك إذا كانت الخطوات المتبعة تنفذ بطريقة صحيحة وضمن الحدود المعقولة.تقنية كسر سرعة الذاكرة Intel XMP 3.0 لتسهيل عملية كسر السرعة على العديد من المستخدمين، سواء كانوا محترفين أو كانت هذه أول تجربة لهم، نتجه نحو تقنية Intel XMP المدمجة في مختلف الذواكر المصنعة. هذه التقنية تسمح بطريقة آلية لكسر سرعة الذاكرة وهي محببة للجميع. فرفع التردد يدويًا يحتاج إلى جهد كبير، لذلك نجد هذه التقنية مدعومة من الشركات المصنعة للوحات الأم التي تعمل بمعالجات Intel.بمجرد دخولك إلى البيوس ابحث عن إعدادات XMP، فقد يكون هذا الإعداد موجودًا في قسم Overclocking أو قسم متعلق بالذاكرة. فعّل خيار XMP وحدد أحد الملفات المتاحة، إذ عادةً ما يكون هناك ثلاثة ملفات XMP أساسية وملفين إضافيين يمكن للمستخدم تخصيصهم. بعد تحديد الملف الشخصي، احفظ الإعدادات مع إعادة تشغيل حاسوبك الخاص بك. سيقوم الحاسوب الخاص بك الآن بتشغيل ذاكرتك بترددات وتوقيتات XMP المحددة التي اخترتها.يحتاج حاسوبك عادة إلى معرفة طراز الذاكرة بالإضافة إلى التوقيتات والترددات التي يجب تعيينها. سيستخدم البيوس الخاص بك شريحة صغيرة على وحدات ذاكرة الوصول العشوائي الخاصة بك، تسمى شريحة SPD، لتعيين توقيتات الذاكرة وتردداتها بصورة صحيحة. تقنية XMP هي امتداد لـ SPD التي توفر ترددات أعلى وتوقيتات أكثر استقرارًا لتشغيل الذاكرة بها، كما أنها تقلل من الجهد الإضافي المطلوب أثناء كسر السرعة مما يوفر أداء مستقرًا بنقرة زر واحدة.قد تكون المعضلة لعشاق كسر السرعة هو عدم تشابه قطعة الذاكرة مع مثيلتها، إذ لا توجد وحدات تحكم متكاملة ومتماثلة في الوقت نفسه، حتى لو كانتا من العلامة التجارية نفسها وخط الإنتاج نفسه.ماذا يعني ذلك؟ على سبيل المثال، حتى لو كانت وحدة تحكم المتكاملة التي سنرمز لها بحرف(A) قادرة على كسر السرعة إلى ما بعد تردد 5000، فهذا لا يعني أن جميع وحدات التحكم المتكاملة لديها القدرة على فعل ذلك، فالأمر يعود إلى جودة ومستوى تنقيح رقاقة السيليكون المستخدمة في تلك الذواكر.اكسر سرعة الذاكرة بهذه الخطوات أنت أمام خيارين لكسر سرعة الذاكرة لا ثالث لهما، إما ستذهب نحو الخيار الأسهل والأضمن والأفضل من خلال تقنية Intel XMP 3.0 أو الخيار الأطول والأصعب ولكن الأسرع من خلال كسر السرعة يدويًا.الخيار الأول: كسر السرعة مع Intel XMP يمكن الوصول إلى ملفات XMP من داخل إعدادات بيوس اللوحة الأم المدعومة، إذ ستلاحظ عند دخولك لهذه الملفات مستويات مختلفة من كسر السرعة للذاكرة التي تملكها.لتمكين XMP، ما عليك سوى الدخول إلى إعدادات البيوس عند بدء تشغيل حاسوبك، قبل الدخول إلى نظام التشغيل، عن طريق الضغط المتكرر على المفتاح المحدد الذي يسمح لك بالدخولعلى البيوس مثل: F2 أو Delete. بعد الدخول على البيوس ابحث عن خيار XMP أو سرعة الذاكرة، وعند رؤية الخيار فعله وحدد واحدًا من الملفات المناسبة لك، واحفظ إعداداتك وأعد التشغيل. بعد إعادة التشغيل، أدخل إلى نظام التشغيل ويندوز وشغل برنامج CPU-Z لتتأكد من تردد الذاكرة الذي اخترته.ملاحظة مهمة: ذاكرة الوصول العشوائي تُقرأ كمعدل البيانات المزدوجة، لذلك سيظهر تردد ذاكرة كنصف سرعتها الفعلية، أي إذا اخترت واحدًا من ملفات XMP بتردد 6000 ميجاهرتز، فسيظهر التردد بالميجاهرتز على أنه 3000 ميجاهرتز.الخيار الثاني: كسر السرعة يدويًا هل تريد أن تحقق ترددات أعلى مما رأيته في ملفات XMP وليس لديك مشكلة في الوقت والمدة؟ إذا عليك اتباع الخطوات التالية مع أي ذاكرة DDR5 تعمل مع منصة Intel.اختر التردد الذي تريد الوصول إليهأول خطوة عليك اتخاذها تحديد التردد الذي ترغب بالوصول إليه مع ذاكرة DDR5، ويمكنك أن تفعل ذلك من خلال اختيار التردد المرتفع والبدء منه وتجربة عملية الاستقرار والاختبار ثم خفض التردد تدريجيًا حتى تصل للتردد المطلوب والمستقر، أو يمكنك اختيار تردد مقبول والبدء منه ثم الصعود بالتردد نحو الأعلى للوصول إلى التردد المستقر… اختر ما تفضله.اختر وضع Gearالأجيال القديمة من معالجات Intel، مثل معالجات Alder Lake، كانت تأتي مع ثلاثة أوضاع تشغيل للذاكرة وهم: Gear 1، و Gear 2، و Gear 4. الوضع Gear 2 هو الإعداد الوحيد المهم حقًا لكسر سرعة ذاكرة DDR5 على مستوى المتحمسين. أما اختيار وضع Gear 4 سيكون مناسبًا لكاسري السرعة المحترفين الذين يستخدمون النيتروجين السائل في البطولات العالمية.لكن مع معالجات Arrow Lake الجديدة فهي تأتي مع وحدة التحكم في الذاكرة من مستوى آخر، فهي جيدة جدًا لدرجة أنها تصل إلى ترددات عالية بما يكفي لاختيار وضع Gear 4، إذ نشاهد معايير أداء مرتفعة تصل إلى تردد 8600…..لقراءة المقال بالكامل، يرجى الضغط على زر 'إقرأ على الموقع الرسمي' أدناه
عرب هاردوير
٢٦-٠٢-٢٠٢٥
- عرب هاردوير
صناع الذواكر العشوائية يستعدون لإيقاف إنتاج الـ DDR3 وDDR4 هذا العام!
يبدو أن الساحة التقنية على موعدٍ مع تغيير كبير في سوق الذواكر العشوائية، حيث تُشير تقارير إلى أن كِبار المُصنعين يخططون لإنهاء إنتاج ذواكر الـ DDR3 و DDR4 في وقتٍ ما من العام الجاري 2025! خطوةٌ كهذه ستؤثر حتمًا ليس على الشركات المُصنعة فقط، بل على كل المستخدمين الذين لا يزالون يعتمدون على هذا النوع. لماذا تتخلى الشركات عن ذواكر DDR3 وDDR4؟ لا شك أن الدافع الأساسي وراء هذه الخطوة هو تحقيق أرباح أعلى. تقنيات الذواكر الجديدة مثل DDR5 وHBM (الذواكر ذات النطاق الترددي العالي) توفر هوامش ربح أكبر، حيث يُعاد تشكيل السوق لتلبية احتياجات الحوسبة السحابية والذكاء الاصطناعي، وهي القطاعات التي تتطلب سرعات نقل بيانات أعلى وقدرات أكبر. الشركات الثلاث الكبرى في مجال إنتاج الذواكر العشوائية، وهم Samsung و SK Hynix وMicron، تتجه نحو التركيز الكامل على الأنواع الجديدة، مما يعني أن ذواكر الـ DDR3 وDDR4 ستُصبح في خبر كان قريبًا. كيف سيتأثر المستخدمين؟ تأثُّر المُصنّعين للتقنيات القديمة مفهوم، لكن كيف سيتأثر المستخدمين العاديين؟ حسنًا، إذا كنت تمتلك جهازًا يعتمد على ذواكر الـ DDR3 أو DDR4 وأردت الترقية أو استبدال قطعة تالفة فقد تجد أن السعر ارتفع بسبب قلة الإنتاج، صحيحٌ أن السوق يشهد انخفاضًا حاليًا في أسعار الـ DDR4 والـ DDR3 تحديدًا بسبب وفرة المخزون، لكن لا يُتوقع أن يستمر هذا الوضع طويلًا، فبمجرد انحسار أعداد المعروض، سترتفع الأسعار. هل هناك بدائل؟ الخبر الجيد أن المصنعين التايوانيين مثل Nanya وWinbond قد يسدّون الفجوة إلى حد ما، عبر مواصلة إنتاج الذواكر الأقدم لفترة أطول. لكن هل سيكون هذا كافيًا؟ لا أحد يعرف.
أخبار مصر
٢٦-٠٢-٢٠٢٥
- أخبار مصر
صناع الذواكر العشوائية يستعدون لإيقاف إنتاج ال DDR3 وDDR4 هذا العام
يبدو أن الساحة التقنية على موعدٍ مع تغيير كبير في سوق الذواكر العشوائية، حيث تُشير تقارير إلى أن كِبار المُصنعين يخططون لإنهاء إنتاج ذواكر الـ DDR3 وDDR4 في وقتٍ ما من العام الجاري 2025! خطوةٌ كهذه ستؤثر حتمًا ليس على الشركات المُصنعة فقط، بل على كل المستخدمين الذين لا يزالون يعتمدون على هذا النوع.لماذا تتخلى الشركات عن ذواكر DDR3 وDDR4؟ لا شك أن الدافع الأساسي وراء هذه الخطوة هو تحقيق أرباح أعلى. تقنيات الذواكر الجديدة مثل DDR5 وHBM (الذواكر ذات النطاق الترددي العالي) توفر هوامش ربح أكبر، حيث يُعاد تشكيل السوق لتلبية احتياجات الحوسبة السحابية والذكاء الاصطناعي، وهي القطاعات التي تتطلب سرعات نقل بيانات أعلى وقدرات أكبر.الشركات الثلاث الكبرى في مجال إنتاج الذواكر العشوائية، وهم Samsung وSK Hynix وMicron، تتجه نحو التركيز الكامل على الأنواع الجديدة، مما يعني أن ذواكر الـ DDR3 وDDR4…..لقراءة المقال بالكامل، يرجى الضغط على زر 'إقرأ على الموقع الرسمي' أدناه
العين الإخبارية
١٠-٠٢-٢٠٢٥
- أعمال
- العين الإخبارية
سوق شرائح الذاكرة.. الصين تكتسب أرضاً جديدة
تكتسب شركة CXMT، الرائدة في الصين في مجال إنتاج شرائح الذاكرة، حصة سوقية عالمية بسرعة على حساب المنافسين الكوريين الجنوبيين. وانضمت الشركة إلى ديب سيك، منافسة عملاق الذكاء الاصطناعي الأمريكي أوبن إيه آى، في تعزيز جهود بكين للحد من اعتمادها على التكنولوجيا الأجنبية في المجالات المتقدمة مثل الذكاء الاصطناعي. ووفقًا لشركة الاستشارات Qianzhan ومقرها شنتشن، زادت شركة CXMT - ومقرها هيفاي في مقاطعة آنهوي الشرقية، حصتها في سوق ذاكرة Dram العالمية البالغة 90 مليار دولار من ما يقرب من الصفر في عام 2020 إلى 5% العام الماضي، مع توقع المحللين أن النمو قد "يتضخم بسرعة". جهود وطنية ووفقا لتقرير نشرته صحيفة "فايننشال تايمز"، فإن الشركة تقود جهود الصين لاقتحام سوق النمو العالي لما يسمى بالذاكرة عالية النطاق الترددي (HBM)، وهو عنصر حاسم في تشغيل أنظمة الذكاء الاصطناعي مثل ChatGPT من Open AI، والتي تواجه منافسة جديدة من منافستها الصينية الأرخص DeepSeek. ويهدد صعود CXMT الهيمنة التقليدية على القطاع من قبل شركات صناعة الرقائق الكورية الجنوبية Samsung و SK Hynix ومنافستها الأمريكية Micron، والتي شكلت معًا 96% من عائدات Dram في عام 2023. واقع جديد وقال كو شونج، الرئيس المشترك لأبحاث الأسهم في منطقة آسيا والمحيط الهادئ في شركة Nomura، إنه "مع صعود CXMT، يواجه صانعو الرقائق الكوريون واقعًا جديدًا حيث يغمر الطرف الأدنى من السوق بالمنتجات الصينية". وأضاف كو:"إنها ليست مسألة تفوق تكنولوجي بل حجم، مما يعني أن سامسونج على وجه الخصوص تضررت بشدة من العرض الزائد وانخفاض أسعار الرقائق". وحتى عام 2016، وهو العام الذي تأسست فيه CXMT، لم تكن الصين تمتلك أي قدرة محلية تقريبًا لإنتاج رقائق Dram، والتي تُستخدم في الخوادم وأجهزة الكمبيوتر والأجهزة المحمولة. ولكن مع الاستثمارات من علي بابا و"صندوق بكين الكبير" المدعوم من الدولة، بدأت الشركة بحلول عام 2019 الإنتاج الضخم لرقائق DDR4، وهي الفئة الأكثر تقدمًا في ذلك الوقت من منتجات ذاكرة Dram. وبحسب شركة الاستشارات SemiAnalysis، بدأت شركة CXMT العام الماضي الإنتاج الضخم لذاكرة DDR5، التي تم تسويقها لأول مرة بواسطة SK Hynix في عام 2020 وهي حاليًا الفئة الأكثر تقدمًا رقائق الذاكرة. وتعمل الشركة الصينية أيضًا على تعزيز إنتاج DDR4 بشكل كبير، وفقًا لتقرير صادر عن بنك الاستثمار Nomura، مما يزيد من السعة من 70 ألف رقاقة شهريًا في عام 2022 إلى 200 ألف رقاقة شهريًا حتى نهاية عام 2024، وهو ما سيكون كافيًا لتأمين 15% من سوق ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية العالمية. انخفاض أرباح الشركات الكورية الجنوبية وقد أدى ذلك إلى خفض سعر رقائق الذاكرة القديمة، مما أدى إلى تآكل هوامش الربح في سامسونج وSK Hynix وإجبار الشركات الكورية الجنوبية على الانسحاب. وفي الشهر الماضي، انخفضت أرباح التشغيل لمجموعة سامسونج بنسبة 29 في المائة بين الربع الثالث والرابع من العام الماضي، في حين أقرت شركة إس كيه هاينكس الشهر الماضي بأن توسع الشركة الصينية ساهم في انخفاض أرباحها التشغيلية قليلاً عن توقعات المحللين في الربع الرابع. وقال جي دان هاتشيسون، نائب رئيس شركة الاستشارات تيك إنسايتس، إنه في حين أن حصة شركة CXMT الصينية في السوق العالمية لا تزال صغيرة نسبيًا ومركزة بشكل كبير في الصين، فإن تقدمها السريع في قطاع Dram كان يولد "تأثير كرة الثلج". وقال هاتشيسون: "كلما زادت حصتك في السوق، زاد حجمك، وارتفعت عائداتك، وانخفضت تكاليفك وزادت حصتك في السوق مرة أخرى. هذه هي بالضبط الطريقة التي دفع بها الكوريون اليابانيين للخروج من قطاع الذاكرة في الثمانينيات والتسعينيات، والآن بدأ شيء مماثل يحدث لهم". ويشير المحللون إلى أن شركة CXMT استغلت أيضًا ثغرة في ضوابط التصدير الأمريكية منذ عام 2023 والتي سمحت لها بالوصول إلى معدات تصنيع الرقائق الأمريكية المتقدمة للمساعدة في إنتاج أحدث رقائقها. كما تم حذفها العام الماضي من القائمة السوداء المحدثة لوزارة التجارة والتي كانت ستمنع أي شركات أمريكية من التعامل معها. وقال شخص مطلع إن شركة CXMT تبني الآن مصنعًا للتصنيع بمساحة 280 ألف متر مربع شرق شنغهاي والذي سيشمل القدرة على إنتاج رقائق "HBM2" التي تخطط شركة SK Hynix، الموردة لشركة Nvidia، لبدء إنتاجها هذا العام. ومن المتوقع أن يؤدي توسع شركة CXMT في إنتاج HBM2 إلى تكثيف الضغوط على سامسونج، التي لا تزال تكافح من أجل اجتياز اختبارات Nvidia الصارمة للتأهل كمورد لـ HBM. aXA6IDMxLjU5LjEyLjEyNCA= جزيرة ام اند امز GB
