أحدث الأخبار مع #DRAM
البيان
١٣-٠٥-٢٠٢٥
- البيان
سرعات استثنائية للأقراص الصلبة من الجيل الخامس
كشفت كينغستون فيوري، المتخصصة في تصنيع منتجات الذواكر الإلكترونية والحلول التقنية، عن إطلاق محرك الأقراص الجديد Kingston FURY Renegade G5. ويأتي الإصدار المتوافق مع منفذ الملحقات الإضافية السريع والمزود بتقنية الذاكرة السريعة غير المتطايرة PCIe 5.0 NVMe M.2، ليقدم تجربة تخزين فائقة السرعة مصممة خصيصاً لعشّاق الألعاب والمستخدمين المحترفين. ويتيح محرك الأقراص Kingston FURY Renegade G5 للمستخدمين الاستفادة القصوى من قدرات أنظمتهم من خلال اعتماده على أحدث وحدة تحكم بتقنية PCIe Gen5 x4 وشرائح 3D TLC NAND، ليحقق سرعات قراءة وكتابة استثنائية تصل إلى 14,800 و14,000 ميغابايت/ثانية على التوالي، وأكثر من مليوني عملية إدخال/ إخراج في الثانية (IOPS). وتم تحسين Renegade G5 خصيصاً لأجهزة الحواسيب عالية الأداء ومحطات العمل الاحترافية، بهدف تجاوز قيود الأداء المرتبطة بأنظمة التخزين، وتقليل أوقات التحميل بشكل ملحوظ، ما يجعله الخيار المثالي لعشاق الألعاب ذات الكثافة الرسومية العالية، أو لتحرير الفيديو والمحتوى أو لتنفيذ المهام المعقدة التي تتطلب معالجة كثيفة للبيانات. وبفضل قوّته الاستثنائية، تم تطوير Kingston FURY Renegade G5 لضمان أداء سلس حتى في أكثر التطبيقات تطلباً، مع الحفاظ على الكفاءة الحرارية واستهلاك الطاقة. ويعود الفضل في ذلك إلى وحدة التحكم Silicon Motion SM2508 المبنية بتقنية تصنيع دقيقة بحجم 6 نانومتر، إلى جانب ذاكرة تخزين مؤقت من نوع DDR4 DRAM منخفضة الاستهلاك. ويتوفر Kingston FURY Renegade G5 بسعات تخزين تبلغ 1024 غيغابايت، 2048 غيغابايت، و4096 غيغابايت، ويأتي مدعوماً بضمان محدود لمدة 5 سنوات، إضافة إلى دعم فني مجاني.
أخبار الخليج
٢٧-٠٤-٢٠٢٥
- أعمال
- أخبار الخليج
نمو إيرادات أشباه الموصلات عالميا بمعدل 21% في عام 2024
كشفت النتائج النهائية لشركة جارتنر أن إيرادات أشباه الموصلات على الصعيد العالمي وصلت في عام 2024 إلى 655.9 مليار دولار أمريكي، بزيادة بنسبة 21 % عن الرقم المسجل في عام 2023 والبالغ 542.1 مليار دولار أمريكي. وقفزت إنفيديا إلى المركز الأول لتتخطى بذلك سامسونج إلكترونيكس وإنتل للمرة الأولى. وقال جوراف جوبتا، نائب الرئيس للتحليلات لدى جارتنر: يعود التغير الذي شهدته مراكز الشركات ضمن قائمة أول 10 مزودي أشباه موصلات إلى الطلب الكبير على تشييد البنى التحتية للذكاء الاصطناعي التوليدي، والزيادة بنسبة 73.4 % في إيرادات بطاقات الذاكرة. لقد قفزت إنفيديا إلى المركز الأول نتيجة للزيادة الملموسة في الطلب على وحدات معالجة الرسوميات المنفصلة ( GPUs ) التي كانت بمثابة الخيار الأساسي لأحمال عمل الذكاء الاصطناعي في مراكز البيانات. وأضاف: حافظت سامسونج إلكترونيكس على المركز الثاني مدفوعة في ذلك بالمكاسب المحققة في كل من بطاقات ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية ( DRAM ) وبطاقات الذاكرة الوميضية ( Flash Memory ) نتيجة التعافي الحاد للأسعار في استجابة لحالة عدم التوازن بين العرض والطلب. كما نمت إيرادات إنتل بنسبة 0.8 % خلال عام 2024 وذلك مع الزخم الذي اكتسبته المنافسة عبر جميع خطوط منتجاتها الرئيسية، ولم تتمكن من الاستفادة من الزيادة القوية في الطلب على معالجة الذكاء الاصطناعي.
أخبارنا
٢٢-٠٤-٢٠٢٥
- علوم
- أخبارنا
الصين تكشف عن أسرع ذاكرة «فلاش» في العالم
أخبارنا : ابتكر فريق من جامعة فودان الصينية، ذاكرة «فلاش» جديدة تُعرف باسم «PoX»، قادرة على تنفيذ 25 مليار عملية في الثانية، بفضل تقنية برمجة كل بت خلال 400 بيكوثانية فقط، متفوقة على جميع سابقاتها في السرعة. وتعتمد التقنية على الغرافين بدلاً من السيليكون، ما أتاح سرعة تضاهي ذاكرات «DRAM»، مع ميزة الاحتفاظ بالبيانات دون طاقة. هذا الابتكار قد يغيّر مستقبل تخزين البيانات ويعزز ريادة الصين في تقنيات الذكاء الاصطناعي.
عكاظ
٢١-٠٤-٢٠٢٥
- علوم
- عكاظ
الصين تكشف عن أسرع ذاكرة «فلاش» في العالم
ابتكر فريق من جامعة فودان الصينية، ذاكرة «فلاش» جديدة تُعرف باسم «PoX»، قادرة على تنفيذ 25 مليار عملية في الثانية، بفضل تقنية برمجة كل بت خلال 400 بيكوثانية فقط، متفوقة على جميع سابقاتها في السرعة. وتعتمد التقنية على الغرافين بدلاً من السيليكون، ما أتاح سرعة تضاهي ذاكرات «DRAM»، مع ميزة الاحتفاظ بالبيانات دون طاقة. هذا الابتكار قد يغيّر مستقبل تخزين البيانات ويعزز ريادة الصين في تقنيات الذكاء الاصطناعي. أخبار ذات صلة
أخبارنا
٢١-٠٤-٢٠٢٥
- علوم
- أخبارنا
ذاكرة PoX الصينية تُحدث ثورة في التخزين: برمجة في 400 بيكوثانية فقط!
أعلن فريق بحثي من جامعة فودان الصينية عن ابتكار نوع جديد من ذاكرة الفلاش غير المتطايرة يُعد الأسرع في العالم حتى الآن، تحت اسم "PoX"، قادر على برمجة بت واحد في زمن قياسي يبلغ 400 بيكوثانية فقط، أي ما يعادل 25 مليار عملية كتابة في الثانية الواحدة، وهو ما يُمثّل قفزة نوعية في تكنولوجيا التخزين والذاكرة. ويتميّز هذا الابتكار بقدرته على الاحتفاظ بالبيانات دون طاقة، كما هو الحال في ذاكرات الفلاش التقليدية، لكنه يتفوق عليها من حيث السرعة بشكل هائل، حيث تفوق أداؤه سرعات الذاكرة المتطايرة مثل DRAM وSRAM التي كانت حتى الآن الأفضل من حيث الأداء، لكنها تفقد بياناتها بمجرد انقطاع التيار الكهربائي. السر وراء هذه التقنية يعود إلى استبدال السيليكون التقليدي بقنوات مصنوعة من الغرافين ديراك ثنائي الأبعاد، مستفيدين من خصائصه في النقل الباليستي للشحنات، مما مكّن من تحقيق هذا الأداء الخارق. وأكد البروفيسور تشو بينغ، قائد الفريق، أن هذا التطور يُعيد رسم فيزياء شرائح الفلاش التقليدية، ويفتح الباب أمام استخدام الذاكرة غير المتطايرة في تطبيقات تتطلب سرعة عالية مثل الذكاء الاصطناعي وأنظمة الحوسبة الطرفية. ويمثل هذا الابتكار حلاً محتملاً لمشكلة الطاقة المرتفعة المرتبطة بنقل البيانات في تطبيقات الذكاء الاصطناعي، حيث يُمكن لسرعة "PoX" الفائقة مع استهلاكها المنخفض للطاقة أن تحل محل ذاكرات التخزين المؤقت SRAM، مما يقلل من المساحة والطاقة المستهلكة في رقائق الذكاء الاصطناعي. ويتوقع الباحثون أن تمكّن هذه التقنية من تشغيل الأجهزة المحمولة بشكل فوري، ودعم قواعد البيانات المتقدمة التي تتطلب بقاء مجموعات العمل في ذاكرة وصول دائم. وبينما لم يُكشف بعد عن أرقام التحمل والإنتاج، فإن توافق الغرافين مع تقنيات التصنيع الحالية قد يُسرّع إدخال هذا الابتكار إلى السوق، معزّزاً طموحات الصين للريادة في مجال الرقائق الدقيقة والتقنيات الذكية.
