الهواتف الصينية الرائدة الجديدة ستحتوي على بطاريات بسعات كبيرة

خبرني - ظهرت البطاريات التي تحتوي على السيليكون خلال الأشهر القليلة الماضية في جميع الهواتف الذكية الرائدة في الصين تقريبًا، وقد أتاحت التكنولوجيا الجديدة كثافة أعلى بكثير مقارنة ببطاريات Li-Ion التقليدية، مما يعني أننا حاليًا في منتصف سباق تسلح لحشر أكبر عدد ممكن من مللي أمبير في الساعة في خلية واحدة دون جعل الأجهزة سميكة للغاية.
سيستمر هذا الوضع طوال هذا العام، وفقًا لتقارير تقنية جديدة ترددت في الصين.
ومع اقتراب نهاية العام، عندما تُطلق الشركات الصينية هواتفها الرائدة من الجيل التالي، والتي تعمل بمعالج MediaTek Dimensity 9500 القادم ومعالج Snapdragon 8 Elite 2، ستصبح سعة البطارية الأساسية للجهاز المتطور 7000 مللي أمبير/ساعة، بحسب تقرير نشره موقع "gsmarena" واطلعت عليه "العربية Business".
هذا يزيد بمقدار 1000 مللي أمبير/ساعة عن سعة البطارية الأساسية التي كانت حوالي 6000 مللي أمبير/ساعة العام الماضي.
علاوة على ذلك، ستصل سعة بعض الهواتف الرائدة إلى 7500 مللي أمبير/ساعة، بينما ستصل سعة الهواتف المتوسطة إلى 8000 مللي أمبير/ساعة - وربما تُطلق "أونور" هاتفًا ببطارية ضخمة كهذه في أقل من أسبوع.
على أي حال، بالعودة إلى الهواتف الصينية الرائدة أواخر عام 2025، من المتوقع أن تدعم جميعها الشحن السلكي بقوة 100 واط باستخدام بطاريات بسعة 7000 - 7500 مللي أمبير/ساعة، بالإضافة إلى الشحن اللاسلكي بقوة 50 - 80 واط.
كل هذا يُمثل ثورة في عمر البطارية التي كنا ننتظرها بفارغ الصبر، وبالتالي، قد لا يُمثل عمر البطارية مشكلة للجميع، بما في ذلك المستخدمين الأكثر تطلبًا.

جرب ميزات الذكاء الاصطناعي لدينا

اكتشف ما يمكن أن يفعله Daily8 AI من أجلك:

التعلم مع الذكاء الاصطناعيالتحقق من الحقائقتحويل النص إلى كلامملخص الذكاء الاصطناعي

أخبار ذات صلة

جو 24

١٤-٠٥-٢٠٢٥

• جو 24

وداعًا لهيمنة السيليكون: الصين تكشف عن أسرع ترانزستور في العالم بتقنية ثنائية الأبعاد

جو 24 : في سابقة علمية استثنائية قد تغيّر موازين صناعة الإلكترونيات، أعلن فريق بحثي من جامعة بكين عن تطوير نوع جديد من الترانزستورات، ولأول مرة بدون استخدام مادة السيليكون التقليدية. ويبدو أن هذا الاختراق التقني، المبني على مادة ثنائية الأبعاد تسمى "أوكسيسيلينيد البزموت"، سيفتح بابًا واسعًا أمام مرحلة جديدة كليًّا في الصناعات الرقمية. ويتركز الابتكار الذي كشف علماء جامعة بكين عنه في تصميم جديد يعرف باسم "البوابة الشاملة" (Gate-All-Around أو GAAFET). وفي الترانزستورات التقليدية الشائعة مثل تقنية "فين فيت" (FinFET)، تكون التغطية التي تحيط بقناة الترانزستور جزئية، ما يتسبب أحيانًا في تسرّب الطاقة وضعف التحكم في التيار الكهربائي. لكن التصميم الجديد يعتمد نموذجًا يسمح بتغطية بوابة الترانزستور من كل الجهات إحاطة تامة، بما يرفع من كفاءة التحكم في التيار ويقلّص فقد الطاقة بشكل ملحوظ. وما يعزز أهمية هذه الأنباء أن الأبحاث، التي نُشرت في مجلة Nature Materials، تؤكّد قدرة الترانزستور الجديد على تحقيق أداء يتفوق بشكل واضح على أحدث وأدق معالجات إنتل المنتجة بتقنية 3 نانومتر؛ إذ أسفر الابتكار الجديد عن سرعات تشغيل أعلى بنسبة 40%، مع تقليل استهلاك الطاقة بنسبة تقارب 10%. وهذا يعني أن الترانزستورات الجديدة قد تكون أسرع وأكثر توفيرًا للطاقة من المعالجات المطورة حاليًا من كبرى الشركات مثل سامسونج وتي إس أم سي. هذه النتائج المبشرة جاءت نتيجة تلافي عيوب تقنية "فين فيت" التقليدية، فالتغطية الشاملة للبوابة أخذت مكان التصميم القديم من خلال هيكل يذكرنا بصورة الجسور المتداخلة. ومع هذا التصميم المعماري المختلف كليًا، استطاع العلماء تجاوز عقبات التصغير وتقليص الحجم التي باتت تواجه رقائق السيليكون الحالية مع اقتراب الصناعة من حاجز 3 نانومتر وما دونها. ولم يكتف العلماء بتطوير تصميم مبتكر وتركيبة مادية جديدة فحسب، بل نجحوا أيضًا في إنتاج وحدات منطقية أولية صغيرة باستخدام هذه التقنية الجديدة. وقد أكدت حسابات واختبارات أداء علمية دقيقة هذه النتائج، كما يصرح البروفيسور بينغ هايلين الذي قاد الفريق البحثي قائلًا: "إذا كانت تحسينات الرقائق الحالية بمثابة سلوك 'طريق مختصر'، فتطوير الترانزستورات الجديدة مع مادتنا ثنائية الأبعاد يشبه حقًا تغيير المسار تمامًا" ويمثل اختيار المواد الجديدة نجاحًا آخر لهذا الفريق، حيث استخدموا مادة "Bi₂O₂Se" شبه الموصلة في تصنيع القناة الإلكترونية، ومادة "Bi₂SeO₅" كطبقة عازلة، وتتميز هذه التركيبة باحتكاك ضئيل جدًّا على مستوى الذرات، مما يسمح للإلكترونات بالمرور بسهولة واضحة كالماء في أنبوبٍ أملس. وقد أكد الباحثون أن التقنية الجديدة المطورة يمكن دمجها بسهولة في المصانع القائمة لصناعة أشباه الموصلات، مما يجعلها مرشحة قوية لدخول الإنتاج التجاري مستقبلًا دون تكاليف إنشاء مكلفة. ولعل مستقبل هذه التقنية يبشّر بإمكانية تطبيقها في صناعة الأجهزة الإلكترونية اليومية كالهواتف الذكية والحواسيب المحمولة، وربما يؤدي إلى تحول كبير قد يمكّن هذه الأجهزة من تقديم أداء أسرع وأقل استهلاكًا للطاقة بشكل ملحوظ. يبقى أمام التقنية الجديدة الآن تحدي إثبات نجاحها التجاري والصناعي على نطاق واسع، عند الانتقال من مرحلة المختبر إلى خطوط الإنتاج الحقيقية. إلا أن الأرقام الأولية وتعليقات الخبراء تشير بقوةٍ إلى إمكانية تغيير كبير قد يطيح نهائيًا بمكانة السيليكون الذي هيمن لسنوات طوال على عرش صناعة الإلكترونيات. وإلى جانب ذلك، قد يكون من المفيد دمج إشارات أوضح حول الوقت المتوقع لدخول التقنية للإنتاج التجاري أو ذكر أسماء شركات تكنولوجية تهتم بهذه التقنية، مما يعطي القارئ صورة أوضح وأكثر اكتمالًا. تابعو الأردن 24 على

أخبارنا

١٢-٠٥-٢٠٢٥

• أخبارنا

هواوي تعلن عن هاتف مجهز بمعالج Snapdragon

أخبارنا : أعلنت هواوي عن هاتفها الجديد الذي حصل على مواصفات جيّدة ومزود بمعالج من فئة Snapdragon. حصل هاتف Nova Y63 على معالج Qualcomm Snapdragon 680، ومعالج رسوميات Adreno 610، وذواكر وصول عشوائي 4 غيغابايت، وذاكرة داخلية بسعة 128 غيغابايت، ويعمل بنظام Android 12 مع واجهات EMUI 14.2، ولا يدعم خدمات Google Play. وهيكله أتى بتصميم أنيق ومميز، أبعاده (168.3/77.7/8.9) ملم، وزنه 207 غ، أما شاشاته فأتت IPS LCD بمقاس 6.75 بوصة، دقة عرضها (1600/720) بيكسل، ترددها 90 هيرتز، كثافتها تعادل 260 بيكسل/الإنش تقريبا. كاميرته الأساسية أتت ثنائية العدسة بدقة (50+2) ميغابيكسل، فيها عدسة macro وعدسة للتصوير العريض، أما كاميرته الأمامية فأتت بدقة 8 ميغابيكسل. زوّد الهاتف بمنفذين لشرائح الاتصال، ومنفذ USB Type-C 2.0، وتقنيات Bluetooth 5.0، وأنظمة GPS و GLONASS و GALILEO وBDS لتحديد المواقع، وشريحة NFC، وماسح لبصمات الأصابع، وبطارية بسعة 6000 ميلي أمبير تعمل مع شاحن باستطاعة 22.5 واط. المصدر: gsmarena

جو 24

١١-٠٥-٢٠٢٥

• جو 24

هواوي تعلن عن هاتف مجهز بمعالج Snapdragon

جو 24 : أعلنت هواوي عن هاتفها الجديد الذي حصل على مواصفات جيّدة ومزود بمعالج من فئة Snapdragon. حصل هاتف Nova Y63 على معالج Qualcomm Snapdragon 680، ومعالج رسوميات Adreno 610، وذواكر وصول عشوائي 4 غيغابايت، وذاكرة داخلية بسعة 128 غيغابايت، ويعمل بنظام Android 12 مع واجهات EMUI 14.2، ولا يدعم خدمات Google Play. وهيكله أتى بتصميم أنيق ومميز، أبعاده (168.3/77.7/8.9) ملم، وزنه 207 غ، أما شاشاته فأتت IPS LCD بمقاس 6.75 بوصة، دقة عرضها (1600/720) بيكسل، ترددها 90 هيرتز، كثافتها تعادل 260 بيكسل/الإنش تقريبا. كاميرته الأساسية أتت ثنائية العدسة بدقة (50+2) ميغابيكسل، فيها عدسة macro وعدسة للتصوير العريض، أما كاميرته الأمامية فأتت بدقة 8 ميغابيكسل. زوّد الهاتف بمنفذين لشرائح الاتصال، ومنفذ USB Type-C 2.0، وتقنيات Bluetooth 5.0، وأنظمة GPS و GLONASS و GALILEO وBDS لتحديد المواقع، وشريحة NFC، وماسح لبصمات الأصابع، وبطارية بسعة 6000 ميلي أمبير تعمل مع شاحن باستطاعة 22.5 واط. المصدر: gsmarena تابعو الأردن 24 على