تفوق مذهل لشريحة Xiaomi XRing O1 في أول اختبار Geekbench على هاتف Xiaomi 15S Pro

التقنية بلا حدود

١٨-٠٥-٢٠٢٥

أعلنت شاومي مؤخرًا عن نيتها إطلاق شريحتها الجديدة المطوّرة داخليًا، XRing O1، في وقت لاحق من هذا الشهر. وقبيل الإطلاق الرسمي، ظهرت الشريحة لأول مرة على منصة Geekbench، محققة أرقامًا لافتة في اختبارات الأداء.
ورغم أن نتائج هذا الاختبار لم تُنشر على موقع Geekbench الرسمي بعد، إلا أن المسرّب المعروف Jukanlosreve (الذي يتمتع بسجل موثوق) شارك اللقطات الخاصة بالنتائج.
وكشفت النتائج أن XRing O1 حصلت على 2,709 نقطة في اختبار النواة الواحدة، و8,125 نقطة في اختبار الأنوية المتعددة، متفوقة بذلك على معالج Snapdragon 8 Gen 3، ولكن دون أن تصل إلى مستوى أداء Snapdragon 8 Gen 3 Elite.
وأكدت النتائج أيضًا وجود تكوين غير تقليدي للأنوية في المعالج. حيث يبدو أن الشريحة تحتوي على نواتين بسرعة 1.80 جيجاهرتز، ونواتين أخريين بسرعة 1.89 جيجاهرتز، بالإضافة إلى أربع أنوية بتردد 3.4 جيجاهرتز، وأخيرًا نواتين بتردد 3.90 جيجاهرتز.
ورغم عدم تأكيد هوية هذه الأنوية رسميًا بعد، تشير التسريبات إلى أن النواتين الأسرع هما من نوع Cortex-X925، في حين يُعتقد أن الأنوية الأبطأ هي Cortex-A520.
وفي اختبار ثانٍ موثّق على Geekbench، ظهرت الشريحة بنتائج أقل، حيث سجّلت 1,860 نقطة للنواة الواحدة و7,449 نقطة للأنوية المتعددة. وتشير هذه الأرقام إلى أداء يقع بين Snapdragon 8 Gen 2 وSnapdragon 8 Gen 3.
كما أكد الاختبار الثاني وجود معالج الرسوميات ARM Immortalis-G925 MC16، إلى جانب ذاكرة عشوائية بسعة 16 جيجابايت في الهاتف الذي تم اختباره.
ورغم عدم تأكيد اسم الجهاز المختبَر، إلا أن المؤشرات تشير إلى أنه Xiaomi 15S Pro، إذ ظهر هذا الطراز سابقًا برقم '25042PN24C' في قاعدة بيانات كود شاومي في يناير الماضي، كما حصل على شهادة 3C التي تؤكد دعمه لشحن سلكي بقوة 90 واط.
المصدر