#أحدث الأخبار مع #هايلينبينغ،٠٧-٠٥-٢٠٢٥علوموداعاً للسيليكون؟ الصين تكشف عن معالج خارق يهدد عرش عمالقة التكنولوجياعمرو النادي في إنجاز علمي قد يُحدث تحولاً جذرياً في مستقبل المعالجات الإلكترونية، أعلن فريق بحثي من جامعة بكين عن تطوير ترانزستور خالٍ من السيليكون، باستخدام مادة ثنائية الأبعاد تُعرف باسم "أوكسيسيلينيد البزموث"، وهو ما وصفه الخبراء بأنه قد يعيد رسم معالم تصميم الرقائق الإلكترونية لعقود قادمة، وفقا لـbgr. موضوعات مقترحة وبحسب الدراسة التي نُشرت في دورية Nature Materials العلمية، فإن المادة الجديدة ليست فقط أكثر نحافة ومرونة من السيليكون التقليدي، بل تتيح أيضاً حركة أسرع للإلكترونات وتحكماً أدق في تدفق التيار الكهربائي — وهما عنصران حاسمان في تعزيز سرعة المعالجات وكفاءتها. ويكمن أحد أهم الابتكارات في التصميم الجديد للترانزستور، حيث يلتف "البوابة" Gate حول المصدر من جميع الاتجاهات، خلافاً للتصميم التقليدي الذي يغطي ثلاث جهات فقط. هذا الالتفاف الكامل يعزز السيطرة على التيار ويقلل من الفاقد في الطاقة، مما يؤدي إلى أداء أسرع واستهلاك طاقة أقل. ووفقاً لما أكده الباحثون، فإن الرقائق المعتمدة على هذا الترانزستور قد تعمل بسرعة تزيد بنسبة تصل إلى 40% مقارنة بأفضل شرائح السيليكون الموجودة حالياً، مثل تلك التي تنتجها شركات كبرى مثل "إنتل"، مع استهلاك طاقة أقل بنسبة تقارب 10%. وتُعزى هذه القفزة في الأداء إلى الخصائص الفريدة لمادة أوكسيسيلينيد البزموث، التي تتميز بقدرة عالية على نقل الإلكترونات (ما يُعرف بـ "الحركية") وثابت عازل مرتفع، وهو ما يعزز قدرتها على تخزين الطاقة الكهربائية بكفاءة أكبر. البروفيسور "هايلين بينغ"، الباحث الرئيسي في المشروع، وصف الابتكار بأنه لا يندرج ضمن "تحديث" لتقنيات السيليكون القائمة، بل هو بمثابة "تغيير كامل في المسار". وقال في تصريحات لصحيفة South China Morning Post: "إذا كانت الابتكارات المعتمدة على السيليكون تُعتبر اختصاراً، فإن تطوير ترانزستورات تعتمد على مواد ثنائية الأبعاد يُعد بمثابة تغيير حارة السير بالكامل". ولا يقتصر الأثر المحتمل لهذا الابتكار على الجانب التقني فحسب، بل قد يحمل أيضاً أبعاداً استراتيجية، خاصة في ظل استمرار القيود الأمريكية على حصول الصين على الرقائق المتقدمة. ففي حال نجاح هذا التوجه، قد تمتلك بكين ورقة جديدة لتعزيز استقلالها في صناعة أشباه الموصلات، والتقدم بخطى واثقة نحو قيادة موجة الابتكار القادمة في هذا القطاع الحيوي. ومع أن هذا الترانزستور لا يزال في مرحلة البحث والتطوير، إلا أن إمكانية توسيع نطاق تصنيعه بنجاح قد تؤدي إلى تحدٍ مباشر لهيمنة السيليكون، وإعادة رسم خارطة الطريق لصناعة المعالجات في المستقبل القريب.
٠٧-٠٥-٢٠٢٥علوموداعاً للسيليكون؟ الصين تكشف عن معالج خارق يهدد عرش عمالقة التكنولوجياعمرو النادي في إنجاز علمي قد يُحدث تحولاً جذرياً في مستقبل المعالجات الإلكترونية، أعلن فريق بحثي من جامعة بكين عن تطوير ترانزستور خالٍ من السيليكون، باستخدام مادة ثنائية الأبعاد تُعرف باسم "أوكسيسيلينيد البزموث"، وهو ما وصفه الخبراء بأنه قد يعيد رسم معالم تصميم الرقائق الإلكترونية لعقود قادمة، وفقا لـbgr. موضوعات مقترحة وبحسب الدراسة التي نُشرت في دورية Nature Materials العلمية، فإن المادة الجديدة ليست فقط أكثر نحافة ومرونة من السيليكون التقليدي، بل تتيح أيضاً حركة أسرع للإلكترونات وتحكماً أدق في تدفق التيار الكهربائي — وهما عنصران حاسمان في تعزيز سرعة المعالجات وكفاءتها. ويكمن أحد أهم الابتكارات في التصميم الجديد للترانزستور، حيث يلتف "البوابة" Gate حول المصدر من جميع الاتجاهات، خلافاً للتصميم التقليدي الذي يغطي ثلاث جهات فقط. هذا الالتفاف الكامل يعزز السيطرة على التيار ويقلل من الفاقد في الطاقة، مما يؤدي إلى أداء أسرع واستهلاك طاقة أقل. ووفقاً لما أكده الباحثون، فإن الرقائق المعتمدة على هذا الترانزستور قد تعمل بسرعة تزيد بنسبة تصل إلى 40% مقارنة بأفضل شرائح السيليكون الموجودة حالياً، مثل تلك التي تنتجها شركات كبرى مثل "إنتل"، مع استهلاك طاقة أقل بنسبة تقارب 10%. وتُعزى هذه القفزة في الأداء إلى الخصائص الفريدة لمادة أوكسيسيلينيد البزموث، التي تتميز بقدرة عالية على نقل الإلكترونات (ما يُعرف بـ "الحركية") وثابت عازل مرتفع، وهو ما يعزز قدرتها على تخزين الطاقة الكهربائية بكفاءة أكبر. البروفيسور "هايلين بينغ"، الباحث الرئيسي في المشروع، وصف الابتكار بأنه لا يندرج ضمن "تحديث" لتقنيات السيليكون القائمة، بل هو بمثابة "تغيير كامل في المسار". وقال في تصريحات لصحيفة South China Morning Post: "إذا كانت الابتكارات المعتمدة على السيليكون تُعتبر اختصاراً، فإن تطوير ترانزستورات تعتمد على مواد ثنائية الأبعاد يُعد بمثابة تغيير حارة السير بالكامل". ولا يقتصر الأثر المحتمل لهذا الابتكار على الجانب التقني فحسب، بل قد يحمل أيضاً أبعاداً استراتيجية، خاصة في ظل استمرار القيود الأمريكية على حصول الصين على الرقائق المتقدمة. ففي حال نجاح هذا التوجه، قد تمتلك بكين ورقة جديدة لتعزيز استقلالها في صناعة أشباه الموصلات، والتقدم بخطى واثقة نحو قيادة موجة الابتكار القادمة في هذا القطاع الحيوي. ومع أن هذا الترانزستور لا يزال في مرحلة البحث والتطوير، إلا أن إمكانية توسيع نطاق تصنيعه بنجاح قد تؤدي إلى تحدٍ مباشر لهيمنة السيليكون، وإعادة رسم خارطة الطريق لصناعة المعالجات في المستقبل القريب.
٠٧-٠٥-٢٠٢٥
