أحدث الأخبار مع #SRAM
الرجل
٢٣-٠٤-٢٠٢٥
- علوم
- الرجل
تحت اسم "بوكس".. الصين تطلق أسرع جهاز تخزين في العالم
في تقدم مذهل بمجال الموصلات وتكنولوجيا الذاكرة، أعلن باحثون من جامعة فودان في شنغهاي عن تطوير ذاكرة فلاش جديدة تحت اسم "بوكس"، بسرعات غير مسبوقة في عمليات التخزين تصل إلى 400 بيكو ثانية، أي ما يعادل 25 مليار عملية قراءة وكتابة في الثانية. للتوضيح، فإن أقراص USB التقليدية تتيح نحو 1000 عملية مسح وإعادة كتابة، في حين بلغ الرقم القياسي العالمي السابق لأداء مماثل مليوني مرة، ما يبرز الفارق الهائل الذي حققته تقنية "بوكس". فوائد تقنية واسعة.. ودعم مباشر للذكاء الاصطناعي صُممت تقنية "بوكس" بشكل أساسي لحل المعضلة القديمة في عالم الحوسبة، وهي الفجوة بين ذاكرة التخزين والمعالجة. فبينما تمتاز ذاكرات مثل SRAM وDRAM بالسرعة، فإنها تفقد البيانات عند انقطاع التيار، على عكس ذاكرة الفلاش، وهنا يأتي الابتكار الجديد ليجمع بين السرعة الفائقة والاحتفاظ بالبيانات دون طاقة. ويُتوقع أن يكون لهذا التطور أثر ضخم على تطبيقات الذكاء الاصطناعي، التي تحتاج إلى سرعات تخزين ومعالجة متزامنة لتنفيذ النماذج الضخمة وتحليل البيانات الفورية. دعم متوقع للسيارات الذكية في المستقبل مع التوسع الكبير في تقنيات السيارات ذاتية القيادة والأجهزة الذكية القابلة للارتداء، تُشكل سرعة المعالجة وسعة التخزين عنصرًا حاسمًا في الأداء الفعلي لهذه الأجهزة. ومن هنا، يُتوقع أن تُحدث تقنية "بوكس" ثورة في هذه الصناعات من خلال تمكين استجابات أسرع، وتقليل زمن الوصول إلى البيانات، ما يعزز من سلامة القيادة وتحسين تجربة المستخدم في الأجهزة المحمولة. ذاكرة الفلاش الجديدة لا تُعد إنجازًا على المستوى التقني فقط، بل أيضًا على مستوى الفعالية الاقتصادية، نظرًا لأن تقنية الفلاش تتميز بقابليتها للتوسع وانخفاض تكلفتها مقارنة بالأنواع الأخرى.
أخبارنا
٢١-٠٤-٢٠٢٥
- علوم
- أخبارنا
ذاكرة PoX الصينية تُحدث ثورة في التخزين: برمجة في 400 بيكوثانية فقط!
أعلن فريق بحثي من جامعة فودان الصينية عن ابتكار نوع جديد من ذاكرة الفلاش غير المتطايرة يُعد الأسرع في العالم حتى الآن، تحت اسم "PoX"، قادر على برمجة بت واحد في زمن قياسي يبلغ 400 بيكوثانية فقط، أي ما يعادل 25 مليار عملية كتابة في الثانية الواحدة، وهو ما يُمثّل قفزة نوعية في تكنولوجيا التخزين والذاكرة. ويتميّز هذا الابتكار بقدرته على الاحتفاظ بالبيانات دون طاقة، كما هو الحال في ذاكرات الفلاش التقليدية، لكنه يتفوق عليها من حيث السرعة بشكل هائل، حيث تفوق أداؤه سرعات الذاكرة المتطايرة مثل DRAM وSRAM التي كانت حتى الآن الأفضل من حيث الأداء، لكنها تفقد بياناتها بمجرد انقطاع التيار الكهربائي. السر وراء هذه التقنية يعود إلى استبدال السيليكون التقليدي بقنوات مصنوعة من الغرافين ديراك ثنائي الأبعاد، مستفيدين من خصائصه في النقل الباليستي للشحنات، مما مكّن من تحقيق هذا الأداء الخارق. وأكد البروفيسور تشو بينغ، قائد الفريق، أن هذا التطور يُعيد رسم فيزياء شرائح الفلاش التقليدية، ويفتح الباب أمام استخدام الذاكرة غير المتطايرة في تطبيقات تتطلب سرعة عالية مثل الذكاء الاصطناعي وأنظمة الحوسبة الطرفية. ويمثل هذا الابتكار حلاً محتملاً لمشكلة الطاقة المرتفعة المرتبطة بنقل البيانات في تطبيقات الذكاء الاصطناعي، حيث يُمكن لسرعة "PoX" الفائقة مع استهلاكها المنخفض للطاقة أن تحل محل ذاكرات التخزين المؤقت SRAM، مما يقلل من المساحة والطاقة المستهلكة في رقائق الذكاء الاصطناعي. ويتوقع الباحثون أن تمكّن هذه التقنية من تشغيل الأجهزة المحمولة بشكل فوري، ودعم قواعد البيانات المتقدمة التي تتطلب بقاء مجموعات العمل في ذاكرة وصول دائم. وبينما لم يُكشف بعد عن أرقام التحمل والإنتاج، فإن توافق الغرافين مع تقنيات التصنيع الحالية قد يُسرّع إدخال هذا الابتكار إلى السوق، معزّزاً طموحات الصين للريادة في مجال الرقائق الدقيقة والتقنيات الذكية.
خبرني
٢٠-٠٤-٢٠٢٥
- علوم
- خبرني
الصين تطلق أسرع ذاكرة فلاش في العالم.. 25 مليار عملية في الثانية
خبرني - ابتكر فريق بحثي من جامعة فودان في الصين أسرع جهاز تخزين شبه موصل تم الإعلان عنه حتى الآن، وهو نوع جديد من ذاكرة الفلاش غير المتطايرة يحمل اسم "PoX"، قادر على برمجة بتّ واحد خلال 400 بيكوثانية فقط (0.0000000004 ثانية)، ما يعادل أداء يصل إلى 25 مليار عملية في الثانية الواحدة. عادةً ما كانت الذاكرات غير المتطايرة – مثل شرائح الفلاش – تعاني من بطء في عمليات الكتابة، مقارنةً بالذاكرة المتطايرة، حيث تستغرق عملية الكتابة من ميكروثانية إلى ميلي ثانية. وعلى الرغم من قدرتها على الاحتفاظ بالبيانات دون طاقة، فإنها لم تكن مثالية لتطبيقات الذكاء الاصطناعي، التي تتطلب سرعة عالية وتدفقاً لحظياً للبيانات. أما ذاكرة "PoX" الجديدة، فقد نقلت هذا النوع من التخزين إلى مستوى جديد من السرعة كان في السابق حكراً على SRAM وDRAM، اللتين تكتبان البيانات في غضون 1 إلى 10 نانوثوانٍ، ولكن مع فقدان تام للمعلومات عند انقطاع الكهرباء. السر في الغرافين: إعادة تصميم فيزياء الفلاش قاد فريق البحث البروفيسور تشو بينغ، من مختبر الدولة الرئيسي للرقائق والأنظمة المتكاملة، الذي أعاد تصميم فيزياء شرائح الفلاش بشكل جذري، حيث استبدل الباحثون قنوات السيليكون التقليدية باستخدام غرافين ديراك ثنائي الأبعاد، واستفادوا من تقنية نقل الشحنة الباليستية لبلوغ هذه السرعة الخيالية. شبّه الباحث المشارك ليو تشونسن هذا التطور الثوري بقفزة هائلة في عالم التخزين قائلاً: "ما فعلناه يشبه التحول من قرص تخزين U يعمل 1000 مرة في الثانية، إلى شريحة قادرة على العمل مليار مرة في طرفة عين." وكان الرقم القياسي العالمي السابق لسرعة برمجة الفلاش غير المتقلبة حوالي مليوني عملية في الثانية، ونظراً لأن ذاكرة PoX غير متقلبة، فإنها تحتفظ بالبيانات دون الحاجة إلى طاقة احتياطية، وهي خاصية بالغة الأهمية للجيل القادم من الذكاء الاصطناعي الطرفي والأنظمة محدودة البطاريات. ويمكن أن يؤدي الجمع بين الطاقة المنخفضة للغاية وسرعات الكتابة بالبيكو ثانية، إلى إزالة مشكلة الذاكرة طويلة الأمد في أجهزة الاستدلال والتدريب على الذكاء الاصطناعي، حيث يهيمن الآن نقل البيانات، وليس العمليات الحسابية، على ميزانيات الطاقة. وإذا تم إنتاجها بكميات كبيرة، يمكن لذاكرة PoX الاستغناء عن ذاكرات التخزين المؤقت SRAM المنفصلة عالية السرعة في رقائق الذكاء الاصطناعي، مما يقلل المساحة والطاقة. ويُمكن لهذا الجهاز تمكين تشغيل فوري لأجهزة الكمبيوتر المحمولة والهواتف منخفضة الطاقة، ودعم محركات قواعد البيانات التي تحفظ مجموعات العمل كاملةً في ذاكرة وصول عشوائي (RAM) دائمة، كما يُمكن للجهاز تعزيز الجهود المحلية الصينية لتأمين الريادة في تقنيات الرقائق الأساسية. ولم يكشف الفريق عن أرقام التحمل أو إنتاجية التصنيع، لكن قناة الغرافين تُشير إلى توافقها مع عمليات المواد ثنائية الأبعاد الحالية التي تستكشفها مصانع التصنيع العالمية بالفعل.
الشبيبة
٢٠-٠٤-٢٠٢٥
- علوم
- الشبيبة
تكسر حاجز السرعة.. الصين تبتكر ذاكرة فلاش خارقة!
نجح فريق بحثي صيني في تطوير جهاز ذاكرة فلاش جديد قادر على تخزين البيانات بسرعة غير مسبوقة، تبلغ "بت" واحداً كل 400 بيكو ثانية. وبحسب ما أوردت وكالة الأنباء الصينية (شينخوا)، الجمعة، يعدّ الجهاز الجديد، المعروف باسم "بوكس"، أسرع أداء معروف حتى الآن في تقنيات تخزين أشباه الموصلات. ويمثل "بوكس" نقلة نوعية في عالم الذاكرة غير المتطايرة، إذ يتفوق على تقنيات الذاكرة المتطايرة التقليدية مثل "SRAM" و"DRAM"، التي تحتاج ما بين 1 إلى 10 نانو ثانية لتخزين بت واحد من البيانات. وللمقارنة، فإن البيكو ثانية تساوي جزءاً من تريليون جزء من الثانية، أي أقل بألف مرة من النانو ثانية. ويأتي هذا التطور بعد سنوات من التحديات التقنية، حيث كانت الذاكرات المتطايرة تُفقد بياناتها عند انقطاع الكهرباء، في حين تعاني الذاكرات غير المتطايرة مثل الفلاش التقليدي من بطء الأداء، ما يجعلها غير ملائمة لتطبيقات الذكاء الاصطناعي وأنظمة الحوسبة منخفضة الطاقة. ويعتمد الابتكار الجديد على تصميم ثنائي الأبعاد لقناة "ديراك الجرافين"، ضمن آلية فريدة تسمح بتجاوز القيود القديمة المرتبطة بسرعة الوصول والتخزين. ويأمل الباحثون أن تفتح هذه التقنية الباب أمام جيل جديد من معالجات البيانات عالية الكفاءة.
