ذاكرة PoX الصينية تُحدث ثورة في التخزين: برمجة في 400 بيكوثانية فقط!
أعلن فريق بحثي من جامعة فودان الصينية عن ابتكار نوع جديد من ذاكرة الفلاش غير المتطايرة يُعد الأسرع في العالم حتى الآن، تحت اسم "PoX"، قادر على برمجة بت واحد في زمن قياسي يبلغ 400 بيكوثانية فقط، أي ما يعادل 25 مليار عملية كتابة في الثانية الواحدة، وهو ما يُمثّل قفزة نوعية في تكنولوجيا التخزين والذاكرة.
ويتميّز هذا الابتكار بقدرته على الاحتفاظ بالبيانات دون طاقة، كما هو الحال في ذاكرات الفلاش التقليدية، لكنه يتفوق عليها من حيث السرعة بشكل هائل، حيث تفوق أداؤه سرعات الذاكرة المتطايرة مثل DRAM وSRAM التي كانت حتى الآن الأفضل من حيث الأداء، لكنها تفقد بياناتها بمجرد انقطاع التيار الكهربائي.
السر وراء هذه التقنية يعود إلى استبدال السيليكون التقليدي بقنوات مصنوعة من الغرافين ديراك ثنائي الأبعاد، مستفيدين من خصائصه في النقل الباليستي للشحنات، مما مكّن من تحقيق هذا الأداء الخارق. وأكد البروفيسور تشو بينغ، قائد الفريق، أن هذا التطور يُعيد رسم فيزياء شرائح الفلاش التقليدية، ويفتح الباب أمام استخدام الذاكرة غير المتطايرة في تطبيقات تتطلب سرعة عالية مثل الذكاء الاصطناعي وأنظمة الحوسبة الطرفية.
ويمثل هذا الابتكار حلاً محتملاً لمشكلة الطاقة المرتفعة المرتبطة بنقل البيانات في تطبيقات الذكاء الاصطناعي، حيث يُمكن لسرعة "PoX" الفائقة مع استهلاكها المنخفض للطاقة أن تحل محل ذاكرات التخزين المؤقت SRAM، مما يقلل من المساحة والطاقة المستهلكة في رقائق الذكاء الاصطناعي.
ويتوقع الباحثون أن تمكّن هذه التقنية من تشغيل الأجهزة المحمولة بشكل فوري، ودعم قواعد البيانات المتقدمة التي تتطلب بقاء مجموعات العمل في ذاكرة وصول دائم. وبينما لم يُكشف بعد عن أرقام التحمل والإنتاج، فإن توافق الغرافين مع تقنيات التصنيع الحالية قد يُسرّع إدخال هذا الابتكار إلى السوق، معزّزاً طموحات الصين للريادة في مجال الرقائق الدقيقة والتقنيات الذكية.
جرب ميزات الذكاء الاصطناعي لدينا
اكتشف ما يمكن أن يفعله Daily8 AI من أجلك:
التعليقات
لا يوجد تعليقات بعد...
أخبار ذات صلة
أخبارنا
٢١-٠٤-٢٠٢٥
- أخبارنا
ذاكرة PoX الصينية تُحدث ثورة في التخزين: برمجة في 400 بيكوثانية فقط!
أعلن فريق بحثي من جامعة فودان الصينية عن ابتكار نوع جديد من ذاكرة الفلاش غير المتطايرة يُعد الأسرع في العالم حتى الآن، تحت اسم "PoX"، قادر على برمجة بت واحد في زمن قياسي يبلغ 400 بيكوثانية فقط، أي ما يعادل 25 مليار عملية كتابة في الثانية الواحدة، وهو ما يُمثّل قفزة نوعية في تكنولوجيا التخزين والذاكرة. ويتميّز هذا الابتكار بقدرته على الاحتفاظ بالبيانات دون طاقة، كما هو الحال في ذاكرات الفلاش التقليدية، لكنه يتفوق عليها من حيث السرعة بشكل هائل، حيث تفوق أداؤه سرعات الذاكرة المتطايرة مثل DRAM وSRAM التي كانت حتى الآن الأفضل من حيث الأداء، لكنها تفقد بياناتها بمجرد انقطاع التيار الكهربائي. السر وراء هذه التقنية يعود إلى استبدال السيليكون التقليدي بقنوات مصنوعة من الغرافين ديراك ثنائي الأبعاد، مستفيدين من خصائصه في النقل الباليستي للشحنات، مما مكّن من تحقيق هذا الأداء الخارق. وأكد البروفيسور تشو بينغ، قائد الفريق، أن هذا التطور يُعيد رسم فيزياء شرائح الفلاش التقليدية، ويفتح الباب أمام استخدام الذاكرة غير المتطايرة في تطبيقات تتطلب سرعة عالية مثل الذكاء الاصطناعي وأنظمة الحوسبة الطرفية. ويمثل هذا الابتكار حلاً محتملاً لمشكلة الطاقة المرتفعة المرتبطة بنقل البيانات في تطبيقات الذكاء الاصطناعي، حيث يُمكن لسرعة "PoX" الفائقة مع استهلاكها المنخفض للطاقة أن تحل محل ذاكرات التخزين المؤقت SRAM، مما يقلل من المساحة والطاقة المستهلكة في رقائق الذكاء الاصطناعي. ويتوقع الباحثون أن تمكّن هذه التقنية من تشغيل الأجهزة المحمولة بشكل فوري، ودعم قواعد البيانات المتقدمة التي تتطلب بقاء مجموعات العمل في ذاكرة وصول دائم. وبينما لم يُكشف بعد عن أرقام التحمل والإنتاج، فإن توافق الغرافين مع تقنيات التصنيع الحالية قد يُسرّع إدخال هذا الابتكار إلى السوق، معزّزاً طموحات الصين للريادة في مجال الرقائق الدقيقة والتقنيات الذكية.
أخبارنا
٢٨-٠٣-٢٠٢٥
- أخبارنا
أدوات جراحية بحجم عود ثقاب تحدث ثورة في جراحة الدماغ
طوّر باحثون في جامعة تورنتو الكندية أدوات روبوتية مغناطيسية دقيقة قد تُحدث تحولاً كبيراً في مجال جراحة الدماغ الدقيقة. وتعتمد هذه الأدوات الجديدة، التي لا يتجاوز قطرها 3 مليمترات، على مجالات مغناطيسية خارجية بدلاً من المحركات التقليدية، مما يُتيح إجراء تدخلات طفيفة التوغل بأقل ألم وندوب وتعافٍ أسرع للمرضى. وتعمل هذه التقنية من خلال إدخال الأدوات – كالمشرط والملقط – إلى داخل الدماغ عبر شق صغير، في حين يُوضع رأس المريض فوق طاولة مزوّدة بملفات كهرومغناطيسية تتحكم في حركة الأدوات بدقة بالغة. وبتعديل شدة الكهرباء المرسلة إلى الملفات، يمكن للجراحين توجيه الأدوات للإمساك بالأنسجة أو قطعها أو سحبها حسب الحاجة. وللتأكد من فعالية هذه الأدوات، صمّم الفريق نموذجاً واقعياً للدماغ باستخدام السيليكون، واستخدموا التوفو لمحاكاة الأنسجة الدماغية خلال اختبارات القطع، وتوت العليق لاختبارات الإمساك. وبيّنت النتائج أن المشرط المغناطيسي حقق دقة فائقة بمتوسط جروح لا يتجاوز 0.4 ملم، مقارنة بأدوات يدوية قد تُحدث جروحاً أكبر بكثير. ويمثل هذا الابتكار خطوة واعدة نحو تقنيات جراحية أكثر أماناً وفعالية في جراحات الأعصاب، خصوصاً في المناطق الحساسة من الدماغ، حيث يُعد الحفاظ على الدقة وتقليل التلف أمراً بالغ الأهمية.
أخبارنا
١٣-٠٣-٢٠٢٥
- أخبارنا
باحثون في جامعة بكين يحققون تقدمًا ثوريًا في تكنولوجيا الرقائق
أعلن فريق من جامعة بكين عن إنجاز غير مسبوق في تكنولوجيا أشباه الموصلات، حيث تمكنوا من تطوير ترانزستور ثنائي الأبعاد يُعد أسرع بنسبة 40% من أحدث رقائق السيليكون بتقنية 3 نانومتر من إنتل وTSMC، مع استهلاك طاقة أقل بنسبة 10%. ويعتمد الابتكار الجديد على ترانزستور قائم على البزموت، الذي يُظهر تفوقًا واضحًا مقارنةً بالرقائق التجارية الرائدة في السوق، مثل إنتل، TSMC، وسامسونغ. وعلى عكس التصاميم التقليدية القائمة على السيليكون، التي تعاني من صعوبات في التصغير وكفاءة الطاقة، يفتح هذا التصميم الجديد آفاقًا جديدة في صناعة الرقائق الإلكترونية. وأشار بنغ هايلين، أستاذ الكيمياء الفيزيائية في جامعة بكين، إلى أن هذا الابتكار يمثل "تغييرًا جذريًا في صناعة الرقائق"، حيث يمكنه تجاوز التحديات التقليدية التي تواجهها التكنولوجيا القائمة على السيليكون. كما أكد أن العقوبات الأمريكية على تصدير التقنيات المتقدمة دفعت الباحثين الصينيين إلى ابتكار حلول جديدة بدلًا من الاعتماد على التقنيات الغربية. ورغم أن هذا التطور جاء كرد فعل على القيود المفروضة، إلا أنه قد يمنح الصين ميزة استراتيجية في سباق أشباه الموصلات، مما قد يعيد تشكيل خريطة المنافسة العالمية في صناعة الرقائق خلال السنوات المقبلة.
