الصين تكشف عن أسرع ذاكرة «فلاش» في العالم

أخبارنا :
ابتكر فريق من جامعة فودان الصينية، ذاكرة «فلاش» جديدة تُعرف باسم «PoX»، قادرة على تنفيذ 25 مليار عملية في الثانية، بفضل تقنية برمجة كل بت خلال 400 بيكوثانية فقط، متفوقة على جميع سابقاتها في السرعة.
وتعتمد التقنية على الغرافين بدلاً من السيليكون، ما أتاح سرعة تضاهي ذاكرات «DRAM»، مع ميزة الاحتفاظ بالبيانات دون طاقة. هذا الابتكار قد يغيّر مستقبل تخزين البيانات ويعزز ريادة الصين في تقنيات الذكاء الاصطناعي.

جرب ميزات الذكاء الاصطناعي لدينا

اكتشف ما يمكن أن يفعله Daily8 AI من أجلك:

التعلم مع الذكاء الاصطناعيالتحقق من الحقائقتحويل النص إلى كلامملخص الذكاء الاصطناعي

أخبار ذات صلة

أخبارنا

٢٢-٠٤-٢٠٢٥

• أخبارنا

الصين تكشف عن أسرع ذاكرة «فلاش» في العالم

أخبارنا : ابتكر فريق من جامعة فودان الصينية، ذاكرة «فلاش» جديدة تُعرف باسم «PoX»، قادرة على تنفيذ 25 مليار عملية في الثانية، بفضل تقنية برمجة كل بت خلال 400 بيكوثانية فقط، متفوقة على جميع سابقاتها في السرعة. وتعتمد التقنية على الغرافين بدلاً من السيليكون، ما أتاح سرعة تضاهي ذاكرات «DRAM»، مع ميزة الاحتفاظ بالبيانات دون طاقة. هذا الابتكار قد يغيّر مستقبل تخزين البيانات ويعزز ريادة الصين في تقنيات الذكاء الاصطناعي.

خبرني

٢٠-٠٤-٢٠٢٥

• خبرني

الصين تطلق أسرع ذاكرة فلاش في العالم.. 25 مليار عملية في الثانية

خبرني - ابتكر فريق بحثي من جامعة فودان في الصين أسرع جهاز تخزين شبه موصل تم الإعلان عنه حتى الآن، وهو نوع جديد من ذاكرة الفلاش غير المتطايرة يحمل اسم "PoX"، قادر على برمجة بتّ واحد خلال 400 بيكوثانية فقط (0.0000000004 ثانية)، ما يعادل أداء يصل إلى 25 مليار عملية في الثانية الواحدة. عادةً ما كانت الذاكرات غير المتطايرة – مثل شرائح الفلاش – تعاني من بطء في عمليات الكتابة، مقارنةً بالذاكرة المتطايرة، حيث تستغرق عملية الكتابة من ميكروثانية إلى ميلي ثانية. وعلى الرغم من قدرتها على الاحتفاظ بالبيانات دون طاقة، فإنها لم تكن مثالية لتطبيقات الذكاء الاصطناعي، التي تتطلب سرعة عالية وتدفقاً لحظياً للبيانات. أما ذاكرة "PoX" الجديدة، فقد نقلت هذا النوع من التخزين إلى مستوى جديد من السرعة كان في السابق حكراً على SRAM وDRAM، اللتين تكتبان البيانات في غضون 1 إلى 10 نانوثوانٍ، ولكن مع فقدان تام للمعلومات عند انقطاع الكهرباء. السر في الغرافين: إعادة تصميم فيزياء الفلاش قاد فريق البحث البروفيسور تشو بينغ، من مختبر الدولة الرئيسي للرقائق والأنظمة المتكاملة، الذي أعاد تصميم فيزياء شرائح الفلاش بشكل جذري، حيث استبدل الباحثون قنوات السيليكون التقليدية باستخدام غرافين ديراك ثنائي الأبعاد، واستفادوا من تقنية نقل الشحنة الباليستية لبلوغ هذه السرعة الخيالية. شبّه الباحث المشارك ليو تشونسن هذا التطور الثوري بقفزة هائلة في عالم التخزين قائلاً: "ما فعلناه يشبه التحول من قرص تخزين U يعمل 1000 مرة في الثانية، إلى شريحة قادرة على العمل مليار مرة في طرفة عين." وكان الرقم القياسي العالمي السابق لسرعة برمجة الفلاش غير المتقلبة حوالي مليوني عملية في الثانية، ونظراً لأن ذاكرة PoX غير متقلبة، فإنها تحتفظ بالبيانات دون الحاجة إلى طاقة احتياطية، وهي خاصية بالغة الأهمية للجيل القادم من الذكاء الاصطناعي الطرفي والأنظمة محدودة البطاريات. ويمكن أن يؤدي الجمع بين الطاقة المنخفضة للغاية وسرعات الكتابة بالبيكو ثانية، إلى إزالة مشكلة الذاكرة طويلة الأمد في أجهزة الاستدلال والتدريب على الذكاء الاصطناعي، حيث يهيمن الآن نقل البيانات، وليس العمليات الحسابية، على ميزانيات الطاقة. وإذا تم إنتاجها بكميات كبيرة، يمكن لذاكرة PoX الاستغناء عن ذاكرات التخزين المؤقت SRAM المنفصلة عالية السرعة في رقائق الذكاء الاصطناعي، مما يقلل المساحة والطاقة. ويُمكن لهذا الجهاز تمكين تشغيل فوري لأجهزة الكمبيوتر المحمولة والهواتف منخفضة الطاقة، ودعم محركات قواعد البيانات التي تحفظ مجموعات العمل كاملةً في ذاكرة وصول عشوائي (RAM) دائمة، كما يُمكن للجهاز تعزيز الجهود المحلية الصينية لتأمين الريادة في تقنيات الرقائق الأساسية. ولم يكشف الفريق عن أرقام التحمل أو إنتاجية التصنيع، لكن قناة الغرافين تُشير إلى توافقها مع عمليات المواد ثنائية الأبعاد الحالية التي تستكشفها مصانع التصنيع العالمية بالفعل.

سرايا الإخبارية

٢٠-٠٤-٢٠٢٥

• سرايا الإخبارية

أسرع من رمشة العين ب 250 مليون مرة .. صينيون يتوصلون لأسرع ذاكرة فلاش

سرايا - نجح فريق بحثي في جامعة فودان بمدينة شنغهاي الصينية في تطوير أسرع ذاكرة فلاش في العالم حتى الآن، بسرعة كتابة تصل إلى 400 بيكو ثانية فقط، محققين بذلك نقلة نوعية قد تغير مستقبل تقنيات تخزين البيانات في الأجهزة الذكية والحواسيب. لمن لا يعرف، فالبيكو ثانية Picosecond هي وحدة زمنية تعادل جزءًا من تريليون جزء من الثانية، وهو ما يجعل هذه الذاكرة الجديدة أسرع بحوالي 250 مليون مرة من الوقت اللازم لطرفة العين التي تستغرق حوالي 0.1 ثانية. وأطلق العلماء على هذه الذاكرة الجديدة اسم PoX، وهي ذاكرة غير متطايرة Non-volatile، أي أنها تحتفظ بالبيانات حتى في حالة انقطاع التيار الكهربائي عنها. وعلى عكس ذاكرة الفلاش التقليدية المستخدمة حاليًا في الهواتف وأقراص التخزين ووحدات الـ USB، والتي قد تستغرق أكثر من ميكرووثانية إلى عدة ملي ثانية لإتمام عملية كتابة البيانات، فإن ذاكرة «PoX» قادرة على تنفيذ هذه العملية بشكل شبه فوري. كيف نجح العلماء في ذلك؟ وقد تمكن الباحثون من تحقيق هذا الإنجاز عن طريق استخدام مادة الجرافين ثنائي الأبعاد Dirac Graphene بدلًا من السيليكون التقليدي، مستفيدين من خاصية مميزة لهذه المادة تسمى "الحقن الفائق ثنائي الأبعاد"، والتي تسمح للشحنات الكهربائية بالتحرك بسرعة فائقة ودون عوائق تقريبًا. وأكد البروفيسور جو بينغ، قائد الفريق البحثي في جامعة فودان، أن هذه التقنية الجديدة يمكن أن تساهم في حل مشكلة عنق الزجاجة التي تواجهها الأنظمة المعتمدة على تقنيات الذكاء الاصطناعي، حيث إن هذه الأنظمة تحتاج إلى معالجة كميات ضخمة من البيانات بسرعة فائقة وبدون تأخير.